KLA D600 探針式表面輪廓儀

KLA 探針式表面輪廓儀介紹：

KLA D600 探針式表面輪廓儀采用光學(xué)杠桿傳感器技術(shù)提供高分辨率、較大的高度測(cè)量范圍和準(zhǔn)確的微力控制。探針的接觸式測(cè)量技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是直接測(cè)量，與材料特性無關(guān)。多種力度調(diào)節(jié)和探針尺寸選擇可以讓機(jī)臺(tái)對(duì)各種結(jié)構(gòu)和材料進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量。這些功能可以表征因添加或移除材料而引起的形貌特征改變，以及測(cè)量由材料結(jié)構(gòu)改變引起的粗糙度和應(yīng)力變化。

KLA D600 探針式表面輪廓儀包括一個(gè)200mm自動(dòng)樣品載臺(tái)和具有增強(qiáng)圖像控制的光學(xué)器件。Alpha-Step輪廓儀體積小巧，專為高校、實(shí)驗(yàn)室和研究所設(shè)計(jì)，可為半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體器件、LED、太陽(yáng)能、MEMS、汽車和醫(yī)療行業(yè)提供臺(tái)階高度、粗糙度和應(yīng)力測(cè)量。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

• 500萬(wàn)像素高分辨率彩色相機(jī)

• 平整的掃描平臺(tái)

• 用于測(cè)量可視化的側(cè)視視圖

• 從0.03到15毫克的力控制范圍

• Z向掃描范圍可達(dá)1.2mm

• 200毫米手動(dòng)XY樣品臺(tái)

• 符合CE標(biāo)準(zhǔn)

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

• 在重復(fù)性和再現(xiàn)性上具有良好表現(xiàn)

• 接觸式測(cè)量，適用于多種材料

• 測(cè)量軟材料的微力控制

• 梯形失真校正可消除側(cè)視圖造成的失真

• 弧形校正補(bǔ)償探針的弧形運(yùn)動(dòng)

產(chǎn)品測(cè)量原理：

KLA D600 探針式表面輪廓儀采用了光學(xué)杠桿傳感器技術(shù)。光學(xué)杠桿傳感器利用轉(zhuǎn)軸組件上表面反射的激光束跟蹤表面形貌。反射的光束隨后投射到光電探測(cè)器上。對(duì)于 Alpha-Step，光束被分成兩部分：一邊投射到雙電池光電探測(cè)器上，另一邊投射到單電池光電探測(cè)器上 。這種設(shè)計(jì)可以在第一個(gè)探測(cè)器上對(duì)較小的步長(zhǎng)進(jìn)行高分辨率測(cè)量，而在第二個(gè)探測(cè)器上對(duì)較大的步長(zhǎng)進(jìn)行測(cè)量。激光束的偏轉(zhuǎn)在測(cè)探針蹤表面時(shí)發(fā)生變化，同時(shí)被光電探測(cè)器感應(yīng)到，然后將這種偏轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換為形貌信號(hào)。光學(xué)杠桿的優(yōu)勢(shì)在于整個(gè)組件的質(zhì)量小，可以進(jìn)行低力測(cè)量。此外，該傳感器響應(yīng)速度快，可跟蹤表面形貌的變化。

主要應(yīng)用：

行業(yè)應(yīng)用：

高校和實(shí)驗(yàn)室

KLA D600 探針式表面輪廓儀是任何高校、研究機(jī)構(gòu)或?qū)嶒?yàn)室的重要研究工具。該系統(tǒng)能夠進(jìn)行接觸式的直接測(cè)量，結(jié)果與材料性質(zhì)無關(guān)。研究人員能夠測(cè)量任何透明或不透明材料的沉積厚度。Alpha-Step輪廓儀操作簡(jiǎn)便，簡(jiǎn)單培訓(xùn)即可讓用戶快速掌握和使用。

二次離子質(zhì)譜（SIMS）產(chǎn)生的凹陷

準(zhǔn)確測(cè)量二次離子質(zhì)譜（SIMS）所產(chǎn)生的凹陷的深度，以確定離子濃度和凹陷深度的關(guān)系。測(cè)量凹陷底面的粗糙度，以表征離子束能量的均勻性。

試驗(yàn)性生產(chǎn)

Alpha-Step探針式輪廓儀是小批量試驗(yàn)性生產(chǎn)的理想選擇。操作員可以在樣品的多個(gè)位置快速聚焦和測(cè)量，以反映樣品表面的工藝變化。Alpha-Step輪廓儀的軟件還支持操作員、系統(tǒng)和批次信息的追蹤，以方便生產(chǎn)中的統(tǒng)計(jì)過程控制。

常規(guī)應(yīng)用

Alpha-Step探針式輪廓儀被廣泛用于生產(chǎn)或研發(fā)。例如測(cè)量紡織品安全特征和與紡織品吸光率相關(guān)的粗糙度，還有消費(fèi)電子產(chǎn)品的應(yīng)用,包括測(cè)量觸摸屏形貌和玻璃屏幕上的薄膜臺(tái)階高度。

半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體

測(cè)量在半導(dǎo)體前段、后段和封裝工藝中的表面形貌，包括測(cè)量光刻膠厚度、蝕刻深度、濺射高度、CMP前后形貌、粗糙度、樣品翹曲和應(yīng)力，以改進(jìn)生產(chǎn)工藝控制。

產(chǎn)品參數(shù)：

KLA 探針式表面輪廓儀測(cè)量圖：